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キーワード [ computer to plate machine spare parts ] 一致 132 製品.
購入 オフセット印刷 CTP 機械 レーザー画像 暴露 頭 部品 オンライン メーカー

オフセット印刷 CTP 機械 レーザー画像 暴露 頭 部品

価格: 交渉可能 MOQ: 1セット
レーザーチャネル 256
出力速度 30pph
Max.Plateのサイズ 800×690mm
状態 新品または中古品
決議 2400dpi,1200dpi 選択可能
購入 ECOOSETTER オフセット印刷 CTP レーザー印刷機 パーツ オンライン メーカー

ECOOSETTER オフセット印刷 CTP レーザー印刷機 パーツ

価格: 交渉可能 MOQ: 1セット
レーザーチャネル 256
出力速度 30pph
Max.Plateのサイズ 800×690mm
条件 新品または中古品
決議 2400dpi,1200dpi 選択可能
VIDEO 購入 A1 A2の紫外線オフセット128CH半導体レーザー44pph CTPの版機械 オンライン メーカー

A1 A2の紫外線オフセット128CH半導体レーザー44pph CTPの版機械

価格: 交渉可能 MOQ: 1set
レーザー チャネル 32CH、48CH、64CH、128CH
出力速度 16pph、22pph、28pph
Max.Plateのサイズ 800X690 (mm)
条件 新しいですか使用された利用できる
決断 2400dpi、任意1200dpi
購入 時間CTPの版機械1台あたりの新聞熱44Plates オンライン メーカー

時間CTPの版機械1台あたりの新聞熱44Plates

価格: 交渉可能 MOQ: 1set
レーザー チャネル 32CH、48CH、64CH、128CH
出力速度 16pph、22pph、28pph
Max.Plateのサイズ 800X690 (mm)
条件 新しいですか使用された利用できる
決断 2400dpi、任意1200dpi
購入 64台の半導体レーザー1130mmは熱CTPの版機械を相殺した オンライン メーカー

64台の半導体レーザー1130mmは熱CTPの版機械を相殺した

価格: 交渉可能 MOQ: 1セット
半導体レーザー 64
波長 810 nm
機械タイプ 熱CTP
速度 28 pph
パッケージの詳細 木の場合
VIDEO 購入 22PPH光ファイバーレーザーの頭部が付いている熱CTPの版機械 オンライン メーカー

22PPH光ファイバーレーザーの頭部が付いている熱CTPの版機械

価格: 交渉可能 MOQ: 1set
システムの露出 光ファイバー
出力速度 22pph
Max.Plateのサイズ 1680X1350 (mm)
決断 任意2400dpiか2540dpi
版のローディングおよび荷を下すこと 自動
購入 特大のフォーマットの上昇温暖気流はCTP装置を製版します オンライン メーカー

特大のフォーマットの上昇温暖気流はCTP装置を製版します

価格: 交渉可能 MOQ: 1セット
レーザーの波長 830 nm
イメージ投射 システム 64ダイオード
効率 16 pph
最高。版のサイズ 1470mm*1180mm
Min. Plateサイズ 650mm*550mm
購入 256のチャネルの極度の速い上昇温暖気流CTP装置 オンライン メーカー

256のチャネルの極度の速い上昇温暖気流CTP装置

価格: 交渉可能 MOQ: 1セット
レーザーの波長 830 nm
イメージ投射 システム 256ダイオード
効率 顧客の設定による35/45/55のpph
最高。版のサイズ 1130mm*920mm
Min. Plateサイズ 510mm*400mm
VIDEO 購入 32CHは紫外線CTPの版機械Platesetterを製版する装置を相殺した オンライン メーカー

32CHは紫外線CTPの版機械Platesetterを製版する装置を相殺した

価格: 交渉可能 MOQ: 1セット
マシンタイプ CTCP機械
イメージングシステム 64CH;48CH;32CH
中(版/時間) 28;22;16
決議 2400dpi
プレートサイズ 最高。1163mm x 940mm、Min. 400mm x 300mm
VIDEO 購入 64CHはオフセット印刷のCTP版機械2400dpiを製版する オンライン メーカー

64CHはオフセット印刷のCTP版機械2400dpiを製版する

価格: 交渉可能 MOQ: 1セット
マシンタイプ CTCP機械
プレート サイズ 最高。1163mm x 940mm、Min. 400mm x 300mm
イメージングシステム 64CH;4CH;32CH
中(版/時間) 28;22;16の分離した405nm半導体レーザー
決議 2400dpi
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